| 型号： | PSMN1R3-30YL,115 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| PSMN1R3-30YL,115 PDF |  |
| 产品目录绘图 | MOSFET LFPAK-4 |
| 特色产品 | LFPAK Trench 6 MOSFETs |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.3 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.15V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 6227pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 121W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT1023，4-LFPAK |
| 供应商设备封装 | LFPAK，Power-SO8 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面 | 1507 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 568-4908-1 |